Справочник транзисторов. PDTC124TE

 

Биполярный транзистор PDTC124TE Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PDTC124TE
   Маркировка: 41
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT416
 

 Аналог (замена) для PDTC124TE

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC124TE Datasheet (PDF)

 0.1. Size:134K  nxp
 pdtc124tef pdtc124tk pdtc124ts.pdf pdf_icon

PDTC124TE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPDTC124T seriesNPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 k, R2 = openProduct data sheet 2004 Aug 13Supersedes data of 2004 Apr 06NXP Semiconductors Product data sheetNPN resistor-equipped transistors; PDTC124T seriesR1 = 22 k, R2 = openFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT S

 6.1. Size:174K  philips
 pdtc124t series.pdf pdf_icon

PDTC124TE

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPDTC124T seriesNPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 k, R2 = openProduct data sheet 2004 Aug 13Supersedes data of 2004 Apr 06NXP Semiconductors Product data sheetNPN resistor-equipped transistors; PDTC124T seriesR1 = 22 k, R2 = openFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT S

 7.1. Size:56K  motorola
 pdtc124et 5.pdf pdf_icon

PDTC124TE

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETook, halfpageM3D088PDTC124ETNPN resistor-equipped transistor1999 Apr 16Product specificationSupersedes data of 1998 May 08Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC124ETFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 22 k each)3handbook, 4 columns Simplification of circuit design3

 7.2. Size:58K  motorola
 pdtc124es 2.pdf pdf_icon

PDTC124TE

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D186PDTC124ESNPN resistor-equipped transistor1998 May 08Product specificationSupersedes data of 1997 Jul 03File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC124ESFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 22 k each) Simplification o

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top

 


 
.