PDTC124XU datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTC124XU  📄📄 

Маркировка: -51_*51_p51_t51_W51

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT323

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PDTC124XU

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC124XU даташит

 6.1. Size:54K  motorola
 pdtc124xef 2.pdf pdf_icon

PDTC124XU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC124XEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 18 Preliminary specification Supersedes data of 1998 Nov 11 Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124XEF FEATURES Power dissipation comparable to SOT23 Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k respectively) 3 ha

 6.2. Size:55K  motorola
 pdtc124xe 3.pdf pdf_icon

PDTC124XU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC124XE NPN resistor-equipped transistor 1999 May 18 Product specification Supersedes data of 1998 Sep 21 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124XE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k respectively) Simplification of circuit design handbook, halfpage

 6.3. Size:54K  philips
 pdtc124xef 2.pdf pdf_icon

PDTC124XU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC124XEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 18 Preliminary specification Supersedes data of 1998 Nov 11 Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124XEF FEATURES Power dissipation comparable to SOT23 Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k respectively) 3 ha

 6.4. Size:55K  philips
 pdtc124xe 3.pdf pdf_icon

PDTC124XU

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D173 PDTC124XE NPN resistor-equipped transistor 1999 May 18 Product specification Supersedes data of 1998 Sep 21 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC124XE FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 22 k and 47 k respectively) Simplification of circuit design handbook, halfpage

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PDTC124EU, PDTC124TE, PDTC124TM, PDTC124TT, PDTC124TU, PDTC124XE, PDTC124XM, PDTC124XT, S9014, PDTC143EE, PDTC143EM, PDTC143ET, PDTC143EU, PDTC143TE, PDTC143TM, PDTC143TT, PDTC143TU