PDTC143TM - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор PDTC143TM - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: PDTC143TM
   Маркировка: DM
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT883

Аналоги (замена) для PDTC143TM

PDTC143TM Datasheet (PDF)

6.1. Size:51K motorola
pdtc143tt 2.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETook, halfpageM3D088PDTC143TTNPN resistor-equipped transistor1999 May 21Product specificationSupersedes data of 1998 May 29Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC143TTFEATURES PINNING Built-in bias resistor R1 (typ. 4.7 k)PIN DESCRIPTION Simplification of circuit design1 base/input

6.2. Size:174K philips
pdtc143t series.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPDTC143T seriesNPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k, R2 = openProduct data sheet 2004 Aug 06Supersedes data of 2004 Apr 06NXP Semiconductors Product data sheetNPN resistor-equipped transistors; PDTC143T seriesR1 = 4.7 k, R2 = openFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT

6.3. Size:51K philips
pdtc143tt 2.pdf