PDTC143TT datasheet, аналоги, параметры транзистора

PDTC143TT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PDTC143TT 📄📄

Маркировка: *33_p33_t33_W33

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT23

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для PDTC143TT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

PDTC143TT даташит

..1. Size:51K motorola
pdtc143tt 2.pdf pdf_icon

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET ook, halfpage M3D088 PDTC143TT NPN resistor-equipped transistor 1999 May 21 Product specification Supersedes data of 1998 May 29 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC143TT FEATURES PINNING Built-in bias resistor R1 (typ. 4.7 k ) PIN DESCRIPTION Simplification of circuit design 1 base/input

..2. Size:51K philips
pdtc143tt 2.pdf pdf_icon

6.1. Size:174K philips
pdtc143t series.pdf pdf_icon

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET PDTC143T series NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k , R2 = open Product data sheet 2004 Aug 06 Supersedes data of 2004 Apr 06 NXP Semiconductors Product data sheet NPN resistor-equipped transistors; PDTC143T series R1 = 4.7 k , R2 = open FEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistors SYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT

6.2. Size:134K nxp
pdtc143tef pdtc143tk pdtc143ts.pdf pdf_icon