Биполярный транзистор PDTC143XE - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PDTC143XE
Маркировка: 34
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT416
Аналоги (замена) для PDTC143XE
PDTC143XE Datasheet (PDF)
pdtc143xe 2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTC143XENPN resistor-equipped transistorProduct specification 1999 May 21Supersedes data of 1998 May 29Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC143XEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 k and 10 krespectively) Simplification of circuit designhandbook, halfpage
pdtc143xe 2.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D173PDTC143XENPN resistor-equipped transistorProduct specification 1999 May 21Supersedes data of 1998 May 29Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC143XEFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 4.7 k and 10 krespectively) Simplification of circuit designhandbook, halfpage
pdtc143xt 1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PDTC143XTNPN resistor-equipped transistor1999 Apr 20Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC143XTFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 4.7 k and 10 k3handbook, 4 columnsrespectively)3 Simplification of circuit designR11
pdtc143x ser.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
PDTC143X seriesNPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k, R2 = 10 kRev. 10 16 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN Resistor-Equipped Transistors (RET) family.Table 1. Product overviewType number Package PNP complementNXP JEITA JEDECPDTC143XE SOT416 SC-75 - PDTA143XEPDTC143XEF SOT490 SC-89 - PDTA143XEFPDTC143XK SOT346 SC-5
pdtc143xt 1.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D088PDTC143XTNPN resistor-equipped transistor1999 Apr 20Product specificationPhilips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistor PDTC143XTFEATURES Built-in bias resistors R1 and R2(typ. 4.7 k and 10 k3handbook, 4 columnsrespectively)3 Simplification of circuit designR11
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .