PDTC144EM - описание и поиск аналогов

 

PDTC144EM - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PDTC144EM
   Маркировка: E7
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT883

 Аналоги (замена) для PDTC144EM

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PDTC144EM - технические параметры

 6.1. Size:54K  motorola
 pdtc144eef 1.pdf pdf_icon

PDTC144EM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D425 PDTC144EEF NPN resistor-equipped transistor 1999 May 27 Preliminary specification Philips Semiconductors Preliminary specification NPN resistor-equipped transistor PDTC144EEF FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) Simplification of circuit design 3 handbook, halfpage 3 R1 Reduces number of components

 6.2. Size:58K  motorola
 pdtc144eu 3.pdf pdf_icon

PDTC144EM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D102 PDTC144EU NPN resistor-equipped transistor 1999 Apr 16 Objective specification Supersedes data of 1998 May 18 Philips Semiconductors Objective specification NPN resistor-equipped transistor PDTC144EU FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) 3 handbook, 4 columns Simplification of circuit desi

 6.3. Size:58K  motorola
 pdtc144es 2.pdf pdf_icon

PDTC144EM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D186 PDTC144ES NPN resistor-equipped transistor 1998 May 19 Product specification Supersedes data of 1997 Jul 01 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Product specification NPN resistor-equipped transistor PDTC144ES FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) Simplification o

 6.4. Size:57K  motorola
 pdtc144ek 2.pdf pdf_icon

PDTC144EM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D114 PDTC144EK NPN resistor-equipped transistor 1998 May 19 Objective specification Supersedes data of 1997 Jul 14 File under Discrete Semiconductors, SC04 Philips Semiconductors Objective specification NPN resistor-equipped transistor PDTC144EK FEATURES Built-in bias resistors R1 and R2 (typ. 47 k each) 3 ndbook, 4 col

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PDTC143XM , PDTC143XT , PDTC143XU , PDTC143ZE , PDTC143ZM , PDTC143ZT , PDTC143ZU , PDTC144EE , 2SD313 , PDTC144ET , PDTC144EU , PDTC144TE , PDTC144TM , PDTC144TT , PDTC144TU , PDTC144VE , PDTC144VM .

History: SU188 | SU189 | KCP53 | SU192 | RN1972HFE | SU160 | SU161

 

 
Back to Top

 


 
.