Биполярный транзистор 2N1167 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2N1167
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 106 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 75 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 50 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам