2N1167. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N1167

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 106 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 75 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2N1167

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N1167 даташит

 9.1. Size:289K  rca
 2n1169.pdf pdf_icon

2N1167

Другие транзисторы: 2N1163, 2N1163A, 2N1164, 2N1164A, 2N1165, 2N1165A, 2N1166, 2N1166A, BD139, 2N1167A, 2N1168, 2N1169, 2N117, 2N1170, 2N1171, 2N1172, 2N1173