Биполярный транзистор PUMB15 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PUMB15
Маркировка: B*6
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 4.7 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SOT363
Аналог (замена) для PUMB15
PUMB15 Datasheet (PDF)
pemb15 pumb15.pdf

PEMB15; PUMB15PNP/PNP resistor-equipped transistors;R1 = 4.7 k, R2 = 4.7 kRev. 5 16 December 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages.Table 1. Product overviewType number Package NPN/PNP NPN/NPN Package complement complement configurationNXP
pemb11 pumb11.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMB11; PUMB11PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = 10 kProduct data sheet 2003 Oct 03Supersedes data of 2001 Sep 13NXP Semiconductors Product data sheetPNP/PNP resistor-equipped transistors; PEMB11; PUMB11R1 = 10 k, R2 = 10 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. U
pemb1 pumb1.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMB1; PUMB1PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 k, R2 = 22 kProduct data sheet 2003 Oct 15Supersedes data of 2001 Sep 13NXP Semiconductors Product data sheetPNP/PNP resistor-equipped transistors; PEMB1; PUMB1R1 = 22 k, R2 = 22 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT
pumb11 1.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageMBD128PUMB11PNP resistor-equipped doubletransistorProduct specification 2000 Aug 08Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped double transistor PUMB11FEATURES Transistors with built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each) No mutual interference between the transistors6 5 4handbook,
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , TIP42C , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
History: MRF927T3 | PZT6718



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924 | mpsa65 | 2sa794