Биполярный транзистор PUMB17 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: PUMB17
Маркировка: B*8
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-PNP
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: SOT363
- подбор биполярного транзистора по параметрам
PUMB17 Datasheet (PDF)
pemb17 pumb17.pdf

PEMB17; PUMB17PNP/PNP resistor-equipped transistors;R1 = 47 k, R2 = 22 kRev. 03 1 September 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP/PNP resistor-equipped transistorsTable 1. Product overviewType number Package NPN/PNP NPN/NPNcomplement complementNXP JEITAPEMB17 SOT666 - PEMD17 PEMH17PUMB17 SOT363 SC-88 PUMD17 PUMH171.2 Features B
pemb11 pumb11.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMB11; PUMB11PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = 10 kProduct data sheet 2003 Oct 03Supersedes data of 2001 Sep 13NXP Semiconductors Product data sheetPNP/PNP resistor-equipped transistors; PEMB11; PUMB11R1 = 10 k, R2 = 10 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. U
pemb1 pumb1.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMB1; PUMB1PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 k, R2 = 22 kProduct data sheet 2003 Oct 15Supersedes data of 2001 Sep 13NXP Semiconductors Product data sheetPNP/PNP resistor-equipped transistors; PEMB1; PUMB1R1 = 22 k, R2 = 22 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT
pumb11 1.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageMBD128PUMB11PNP resistor-equipped doubletransistorProduct specification 2000 Aug 08Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped double transistor PUMB11FEATURES Transistors with built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each) No mutual interference between the transistors6 5 4handbook,
Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .
History: 2N3055HV | 2N1711S | UMY1N | DTA114YKA | SGS912 | MMDT3904 | CHDTA113TKGP
History: 2N3055HV | 2N1711S | UMY1N | DTA114YKA | SGS912 | MMDT3904 | CHDTA113TKGP



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924 | mpsa65 | 2sa794 | 2sa816 | 2sc897 datasheet