Справочник транзисторов. PUMB18

 

Биполярный транзистор PUMB18 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PUMB18
   Маркировка: B8*
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SOT363
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PUMB18 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:604K  nxp
 pemb18 pumb18.pdf pdf_icon

PUMB18

PEMB18; PUMB18PNP/PNP resistor-equipped transistors;R1 = 4.7 k, R2 = 10 kRev. 5 21 December 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages.Table 1. Product overviewType number Package NPN/PNP NPN/NPN Package complement complement configurationNXP J

 9.1. Size:137K  philips
 pemb11 pumb11.pdf pdf_icon

PUMB18

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMB11; PUMB11PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 10 k, R2 = 10 kProduct data sheet 2003 Oct 03Supersedes data of 2001 Sep 13NXP Semiconductors Product data sheetPNP/PNP resistor-equipped transistors; PEMB11; PUMB11R1 = 10 k, R2 = 10 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. U

 9.2. Size:137K  philips
 pemb1 pumb1.pdf pdf_icon

PUMB18

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMB1; PUMB1PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 k, R2 = 22 kProduct data sheet 2003 Oct 15Supersedes data of 2001 Sep 13NXP Semiconductors Product data sheetPNP/PNP resistor-equipped transistors; PEMB1; PUMB1R1 = 22 k, R2 = 22 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT

 9.3. Size:60K  philips
 pumb11 1.pdf pdf_icon

PUMB18

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageMBD128PUMB11PNP resistor-equipped doubletransistorProduct specification 2000 Aug 08Philips Semiconductors Product specificationPNP resistor-equipped double transistor PUMB11FEATURES Transistors with built-in bias resistors R1 and R2(typ. 10 k each) No mutual interference between the transistors6 5 4handbook,

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: RT3YB7M | 2SA815 | 3DG2413K | 2SA795A | 2SA1706T-AN | BC848CW-G

 

 
Back to Top

 


 
.