Справочник транзисторов. PUMH13

 

Биполярный транзистор PUMH13 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PUMH13
   Маркировка: H0*
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT363
 

 Аналог (замена) для PUMH13

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PUMH13 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  philips
pemh13 pumh13.pdfpdf_icon

PUMH13

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMH13; PUMH13NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k, R2 = 47 kProduct data sheet 2004 Apr 14Supersedes data of 2003 Nov 07 NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH13; PUMH13R1 = 4.7 k, R2 = 47 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX

 9.1. Size:60K  philips
pumh10 1.pdfpdf_icon

PUMH13

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETgeMBD128PUMH10NPN resistor-equipped transistorsProduct specification 2000 Aug 01Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistors PUMH10FEATURES Transistors with built-in bias resistors R1 and R2(typ. 2.2 and 47 k)6 5 4 No mutual interference between the transistors handbook, halfpage Reduces n

 9.2. Size:137K  philips
pemh10 pumh10.pdfpdf_icon

PUMH13

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMH10; PUMH10NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 47 kProduct data sheet 2003 Oct 20Supersedes data of 2001 Oct 22NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH10; PUMH10R1 = 2.2 k, R2 = 47 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX.

 9.3. Size:136K  philips
pemh1 pumh1.pdfpdf_icon

PUMH13

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMH1; PUMH1NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 k, R2 = 22 kProduct data sheet 2003 Oct 08Supersedes data of 2001 Oct 22NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH1; PUMH1R1 = 22 k, R2 = 22 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: PTB20091 | 2N4033 | BC268A | S662T | GT250-9A | GSTMMBT2907A | PZT772

 

 
Back to Top

 


 
.