Справочник транзисторов. PUMH16

 

Биполярный транзистор PUMH16 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PUMH16
   Маркировка: H3*
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT363
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PUMH16 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:261K  nxp
pemh16 pumh16.pdfpdf_icon

PUMH16

PEMH16; PUMH16NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 k, R2 = 47 kRev. 04 15 November 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN/NPN Resistor-Equipped Transistors (RET).Table 1. Product overviewType number Package NPN/PNP PNP/PNP complement complementNXP JEITAPEMH16 SOT666 - PEMD16 PEMB16PUMH16 SOT363 SC-88 PUMD16 PUMB161.2 Featu

 9.1. Size:60K  philips
pumh10 1.pdfpdf_icon

PUMH16

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETgeMBD128PUMH10NPN resistor-equipped transistorsProduct specification 2000 Aug 01Philips Semiconductors Product specificationNPN resistor-equipped transistors PUMH10FEATURES Transistors with built-in bias resistors R1 and R2(typ. 2.2 and 47 k)6 5 4 No mutual interference between the transistors handbook, halfpage Reduces n

 9.2. Size:137K  philips
pemh10 pumh10.pdfpdf_icon

PUMH16

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMH10; PUMH10NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k, R2 = 47 kProduct data sheet 2003 Oct 20Supersedes data of 2001 Oct 22NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH10; PUMH10R1 = 2.2 k, R2 = 47 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX.

 9.3. Size:136K  philips
pemh1 pumh1.pdfpdf_icon

PUMH16

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETPEMH1; PUMH1NPN/NPN resistor-equipped transistors; R1 = 22 k, R2 = 22 kProduct data sheet 2003 Oct 08Supersedes data of 2001 Oct 22NXP Semiconductors Product data sheetNPN/NPN resistor-equipped transistors; PEMH1; PUMH1R1 = 22 k, R2 = 22 kFEATURES QUICK REFERENCE DATA Built-in bias resistorsSYMBOL PARAMETER TYP. MAX. UNIT

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: PT709 | 2SA511O | BD355C | 2SD1957 | OC201 | CSB857D

 

 
Back to Top

 


 
.