2STC5242 - описание и поиск аналогов

 

2STC5242. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2STC5242

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 150 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO3P

 Аналоги (замена) для 2STC5242

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2STC5242 даташит

 ..1. Size:183K  st
 2stc5242.pdf pdf_icon

2STC5242

2STC5242 High power NPN epitaxial planar bipolar transistor Features High breakdown voltage VCEO = 230 V Complementary to 2STA1962 Fast-switching speed Typical fT = 30 MHz Application 3 2 1 Audio power amplifier TO-3P Description This device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar Transistor for linear amplifier) technology. The resultin

 8.1. Size:182K  st
 2stc5200.pdf pdf_icon

2STC5242

2STC5200 High power NPN epitaxial planar bipolar transistor Features High breakdown voltage VCEO > 230V Complementary to 2STA1943 Fast-switching speed Typical fT = 30 MHz Application 3 2 1 Audio power amplifier TO-264 Description This device is a NPN transistor manufactured using new BiT-LA (Bipolar Transistor for linear amplifier) technology. The resulting

 9.1. Size:151K  st
 2stc5948.pdf pdf_icon

2STC5242

2STC5948 High power NPN epitaxial planar bipolar transistor Features High breakdown voltage VCEO = 250 V Complementary to 2STA2120 Typical ft = 25 MHz Fully characterized at 125 oC 3 Application 2 1 Audio power amplifier TO-3P Description The device is a NPN transistor manufactured Figure 1. Internal schematic diagram using new BiT-LA (Bipolar transistor for

 9.2. Size:148K  st
 2stc5949.pdf pdf_icon

2STC5242

2STC5949 High power NPN epitaxial planar bipolar transistor Features High breakdown voltage VCEO = 250 V Complementary to 2STA2121 Typical ft = 25 MHz Fully characterized at 125 oC Application Audio power amplifier TO-264 Description The device is a NPN transistor manufactured Figure 1. Internal schematic diagram using new BiT-LA (Bipolar transistor for linear

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2STA1962, 2STA2120, 2STA2121, 2STA2510, 2STC2510, 2STC4467, 2STC4468, 2STC5200, D209L, 2STC5949, 2STD1665, 2STF1340, 2STF1360, 2STF1550, 2STF2220, 2STF2340, 2STF2360

 

 

 

 

↑ Back to Top
.