BUL1102E. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: BUL1102E
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: TO220 TO220FP
Аналоги (замена) для BUL1102E
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
BUL1102E даташит
bul1102e.pdf
BUL1102E High voltage fast-switching NPN power transistor Features High voltage capability Very high switching speed TAB Applications Four lamp electronic ballast for 3 3 2 2 120 V mains in push-pull configuration 1 1 277 V mains in half bridge current feed TO-220FP TO-220 configuration Description This is a high voltage fast switching NPN power Figure 1.
bul1102e.pdf
isc Silicon NPN Power Transistor BUL1102E DESCRIPTION High Voltage High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Four lamp electronic ballsat for 120v mains in push-pull configuration ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 1100 V CBO V Collector-Emit
bul1102efp.pdf
BUL1102E High voltage fast-switching NPN power transistor Features High voltage capability Very high switching speed TAB Applications Four lamp electronic ballast for 3 3 2 2 120 V mains in push-pull configuration 1 1 277 V mains in half bridge current feed TO-220FP TO-220 configuration Description This is a high voltage fast switching NPN power Figure 1.
bul118-1.pdf
BULD118-1 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR HIGH VOLTAGE CAPABILITY LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION VERY HIGH SWITCHING SPEED APPLICATIONS 3 ELECTRONIC BALLASTS FOR 2 1 FLUORESCENT LIGHTING FLYBACK AND FORWARD SINGLE TRANSISTOR LOW POWER CONVERTERS IPAK DESCRIPTION (TO-251) The device is manufactured usin
Другие транзисторы: 2STX1360 , 2STX2220 , 3STR1630 , BDW93CFP , BDW94CFP , BDX53BFP , BUB941ZT , BUF420AW , BD139 , BUL1203EFP , BUL128 , BUL128DB , BUL128FP , BUL138 , BUL310FP , BUL312FP , BUL39D .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
mpsu06 | кт630 | 2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet




