BULB49D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BULB49D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4

Корпус транзистора: D2PAK

 Аналоги (замена) для BULB49D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BULB49D даташит

 ..1. Size:442K  st
 bul49dfp-d bulb49d.pdf pdf_icon

BULB49D

BUL49D BULB49D High voltage fast-switching NPN power transistors Features High voltage capability Low spread of dynamic parameters 3 Minimum lot-to-lot spread for reliable operation 3 2 2 1 1 Very high switching speed TO-220FP TO-220 High ruggedness Applications 3 1 3 Electronic transformers for halogen lamps 2 1 I2PAK Flyback and forward sing

 ..2. Size:441K  st
 bul49d bulb49d.pdf pdf_icon

BULB49D

BUL49D BULB49D High voltage fast-switching NPN power transistors Features High voltage capability Low spread of dynamic parameters 3 Minimum lot-to-lot spread for reliable operation 3 2 2 1 1 Very high switching speed TO-220FP TO-220 High ruggedness Applications 3 1 3 Electronic transformers for halogen lamps 2 1 I2PAK Flyback and forward sing

Другие транзисторы: BUL741, BUL742C, BUL85D, BUL89, BUL903ED, BUL903EDFP, BULB128, BULB39D, 2N3906, BULB7216, BULB742C, BULD118D, BULD39D-1, BULD741, BULD742C, BULK128DB, BUT30V