BULB742C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BULB742C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1050 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: D2PAK I2PAK

 Аналоги (замена) для BULB742C

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BULB742C даташит

 ..1. Size:284K  st
 bul742c bulb742c.pdf pdf_icon

BULB742C

BUL742C BULB742C High voltage fast-switching NPN power transistor Features Low spread of dynamic parameters High voltage capability Minimum lot-to-lot spread for reliable operation Very high switching speed 3 3 2 2 1 1 Applications TO-220 I2PAK Electronic ballast for fluorescent lighting Switch mode power supplies Description The device is manufacture

 9.1. Size:200K  st
 bulb7216 bul7216.pdf pdf_icon

BULB742C

BULB7216 BUL7216 High voltage fast-switching NPN power transistor Features Low spread of dynamic parameters High voltage capability Minimum lot-to-lot spread for reliable operation 3 2 3 1 Very high switching speed 2 1 I2PAK TO-220 Applications Electronic ballast for fluorescent lighting (277 V 3 1 push-pull and 347 V half bridge topoligies) D2PAK Des

Другие транзисторы: BUL85D, BUL89, BUL903ED, BUL903EDFP, BULB128, BULB39D, BULB49D, BULB7216, TIP31C, BULD118D, BULD39D-1, BULD741, BULD742C, BULK128DB, BUT30V, BUT70W, BUTW92