BUTW92. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUTW92

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 180 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 9

Корпус транзистора: TO247

 Аналоги (замена) для BUTW92

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BUTW92 даташит

 ..1. Size:42K  st
 butw92.pdf pdf_icon

BUTW92

BUTW92 HIGH CURRENT NPN SILICON TRANSISTOR STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE NPN TRANSISTOR APPLICATIONS MOTOR CONTROL HIGH FREQUENCY AND EFFICIENCY CONVERTERS 3 2 DESCRIPTION 1 High current, high speed transistor suited for power conversion applications, high efficency TO-247 converters and motor controls. INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATING

 ..2. Size:344K  inchange semiconductor
 butw92.pdf pdf_icon

BUTW92

isc Silicon NPN Power Transistor BUTW92 DESCRIPTION High current High Speed Switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Converters Inverters Switching regulators Motor control systems ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Emitter Voltage (V = 0) 500 V CBS BE V Coll

Другие транзисторы: BULB742C, BULD118D, BULD39D-1, BULD741, BULD742C, BULK128DB, BUT30V, BUT70W, A733, BUXD87, D44H11FP, D45H11FP, HD1530FX, HD1530JL, HD1750FX, HD1750JL, MD1802FX