HD1750FX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HD1750FX

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 24 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 6.5

Корпус транзистора: TO3PF

 Аналоги (замена) для HD1750FX

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

HD1750FX даташит

 ..1. Size:187K  st
 hd1750fx.pdf pdf_icon

HD1750FX

HD1750FX HIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR FOR HIGH DEFINITION AND NEW SUPER-SLIM CRT DISPLAYS STATE-OF-THE-ART TECHNOLOGY Figure 1 Package DIFFUSED COLLECTOR "ENHANCED GENERATION" EHVS1 WIDER RANGE OF OPTIMUM DRIVE CONDITIONS LESS SENSITIVE TO OPERATING TEMPERATURE VARIATION FULLY INSULATED POWER PACKAGE U.L. COMPLIANT APPLICATIONS ISOWATT218FX HORIZONTA

 8.1. Size:224K  st
 hd1750jl.pdf pdf_icon

HD1750FX

HD1750JL Very high voltage NPN power transistor for high definition and slim CRT display PRELIMINARY DATA Features State-of-the-art technology diffused collector enhanced generation EHVS1 Wider range of optimum drive conditions Less sensitive to operating temperature variation In compliance with the 2002/93/EC European 3 2 directive 1 TO-264 Description

Другие транзисторы: BUT30V, BUT70W, BUTW92, BUXD87, D44H11FP, D45H11FP, HD1530FX, HD1530JL, A940, HD1750JL, MD1802FX, MD1803DFP, MD1803DFX, MD2001FX, MD2009DFX, MD2103DFP, MD2310FX