Биполярный транзистор HD1750FX - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: HD1750FX
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 24 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 6.5
Корпус транзистора: TO3PF
HD1750FX Datasheet (PDF)
hd1750fx.pdf
HD1750FXHIGH VOLTAGE NPN POWER TRANSISTOR FOR HIGHDEFINITION AND NEW SUPER-SLIM CRT DISPLAYS STATE-OF-THE-ART TECHNOLOGY: Figure 1: PackageDIFFUSED COLLECTOR "ENHANCED GENERATION" EHVS1 WIDER RANGE OF OPTIMUM DRIVE CONDITIONS LESS SENSITIVE TO OPERATING TEMPERATURE VARIATION FULLY INSULATED POWER PACKAGE U.L. COMPLIANTAPPLICATIONSISOWATT218FX HORIZONTA
hd1750jl.pdf
HD1750JLVery high voltage NPN power transistor for high definition and slimCRT displayPRELIMINARY DATAFeatures State-of-the-art technology: diffused collector enhanced generation EHVS1 Wider range of optimum drive conditions Less sensitive to operating temperature variation In compliance with the 2002/93/EC European 32directive1TO-264Description
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050