Биполярный транзистор MD2310FX - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MD2310FX
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 62 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5.5
Корпус транзистора: TO3PF
MD2310FX Datasheet (PDF)
..1. Size:230K st
md2310fx.pdf
md2310fx.pdf
MD2310FXHigh voltage NPN power transistor forstandard definition CRT displayFeatures State-of-the-art technology: diffused collector enhanced generation Stable performance versus operating temperature variation Low base drive requirement32 Tight hFE range at operating collector current1 Fully insulated power package U.L. compliantTO-3PFAppli
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050