Биполярный транзистор 2N5681 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2N5681
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 230 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO39
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2N5681 Datasheet (PDF)
2n5679 2n5680 2n5681 2n5682.pdf

DATA SHEET2N5679 2N5680 PNP 2N5681 2N5682 NPN COMPLEMENTARY SILICON HIGH POWER TRANSISTORS JEDEC TO-39 CASE DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N5679 Series types are complementary silicon high power transistors manufactured by the epitaxial planar process and designed for general-purpose amplifier and switching applications where high voltages are required. MAXIMUM RATIN
2n5679 2n5680 2n5681 2n5682.pdf

IS/ISO 9002 IS / IECQC 700000Lic# QSC/L- 000019.2 IS / IECQC 750100Continental Device India LimitedAn IS/ISO 9002 and IECQ Certified ManufacturerPNP/NPN HIGH VOLTAGE SILICON TRANSISTORS 2N5679 2N5681 2N5680 2N5682 PNP NPNTO-39 TO-39Boca Semiconductor Corp. BSCThese Are High Voltage & High Current, General Purpose TransistorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.DESCRIPTION SYMBOL 2N5
2n5681smd05.pdf

2N5681SMD05Dimensions in mm (inches). Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed 7.54 (0.296)0.76 (0.030) Ceramic Surface Mount min.3.175 (0.125) 2.41 (0.095) Package for High 2.41 (0.095) Max. 0.127 (0.005)Reliability Applications 1 3Bipolar NPN Device. 2VCEO = 100V IC = 1A 0.127 (0.005)16 PLCS 0.127 (0.005) 0.50(0.020)0.50 (0.020)All Semelab her
2n5684 2n5685 2n5686.pdf

Order this documentMOTOROLAby 2N5684/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAPNP2N5684High-Current ComplementaryNPNSilicon Power Transistors2N5685. . . designed for use in highpower amplifier and switching circuit applications. High Current Capability IC Continuous = 50 Amperes.*2N5686 DC Current Gain hFE = 1560 @ IC = 25 Adc Low CollectorEmitter Sa
Другие транзисторы... 2N5672 , 2N5675 , 2N5676 , 2N5677 , 2N5678 , 2N5679 , 2N568 , 2N5680 , 2SD2012 , 2N5681SM , 2N5682 , 2N5683 , 2N5684 , 2N5685 , 2N5686 , 2N5687 , 2N5688 .
History: 2N5733 | 2N1264 | ME0401 | BC183K | BFV73N | BC183CP | 2N5606
History: 2N5733 | 2N1264 | ME0401 | BC183K | BFV73N | BC183CP | 2N5606



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n3569 | 2sd667 | 2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor | c3198 | 2sc793