ST13007. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ST13007

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для ST13007

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ST13007 даташит

 ..1. Size:252K  st
 st13007.pdf pdf_icon

ST13007

ST13007 High voltage fast-switching NPN power transistor Features DC current gain classification TAB High voltage capability Low spread of dynamic parameters Very high switching speed Applications 3 2 1 Electronic ballast for fluorescent lighting TO-220 Switch mode power supplies Description Figure 1. Internal schematic diagram The device is manufactured

 ..2. Size:380K  semtech
 st13007.pdf pdf_icon

ST13007

ST 13007 NPN Silicon Transistor for high voltage, high-speed power switching application TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage VCBO 700 V Collector Emitter Voltage VCEO 400 V Emitter Base Voltage VEBO 9 V Collector Current IC 8 A O Total Power Dissipation (Ta = 25 C) Ptot 2 W O Total Power Dissipation (

 0.1. Size:214K  st
 st13007d.pdf pdf_icon

ST13007

ST13007D HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR IMPROVED SPECIFICATION - LOWER LEAKAGE CURRENT - TIGHTER GAIN RANGE - DC CURRENT GAIN PRESELECTION - TIGHTER STORAGE TIME RANGE HIGH VOLTAGE CAPABILITY INTEGRATED FREE-WHEELING DIODE LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR 3 2 RELIABLE OPERATION 1 VERY HIGH SWITCHING SPEED FULLY CHARACT

 0.2. Size:160K  st
 st13007dfp.pdf pdf_icon

ST13007

ST13007DFP HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR IMPROVED SPECIFICATION - LOWER LEAKAGE CURRENT - TIGHTER GAIN RANGE - DC CURRENT GAIN PRESELECTION - TIGHTER STORAGE TIME RANGE HIGH VOLTAGE CAPABILITY INTEGRATED FREE-WHEELING DIODE LOW SPREAD OF DYNAMIC PARAMETERS MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR 3 2 RELIABLE OPERATION 1 VERY HIGH SWITCHING SPEED FULLY CHARA

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MD2310FX, MJD31CT4A, MJD32CT4A, MJD45H11T4A, ST13003DK, ST13003K, ST13005, ST13005N, TIP42, ST13007D, ST13007DFP, ST1510FX, ST4460FX, ST600K, ST631K, ST83003, ST8812FX