ST83003. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ST83003

Маркировка: 83003

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 4

Корпус транзистора: SOT32

 Аналоги (замена) для ST83003

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

ST83003 даташит

 ..1. Size:296K  st
 st83003.pdf pdf_icon

ST83003

ST83003 High voltage fast-switching NPN power transistor Features High voltage capability Low spread of dynamic parameters Minimum lot-to-lot spread for reliable operation Very high switching speed 1 Application 2 3 Electronic ballast for fluorescent lighting SOT-32 Description The device is manufactured using high voltage Figure 1. Internal schematic diagram

Другие транзисторы: ST13005N, ST13007, ST13007D, ST13007DFP, ST1510FX, ST4460FX, ST600K, ST631K, D880, ST8812FX, ST901T, ST93003, STB13005, STB13007DT4, STBV32, STBV42, STBV45