Биполярный транзистор STX616 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: STX616
Маркировка: X616
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 980 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO92
STX616 Datasheet (PDF)
stx616 stx616-ap.pdf

STX616High voltage NPN power transistorFeatures High voltage capability High DC current gain Minimum lot-to-lot spread for reliable operationApplications Switching mode power supply Battery chargerTO-92 TO-92APDescriptionThe device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching Figure 1. Internal schematic diagram
stx616.pdf

STX616High voltage NPN power transistorFeatures High voltage capability High DC current gain Minimum lot-to-lot spread for reliable operationApplications Switching mode power supply Battery chargerTO-92 TO-92APDescriptionThe device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching Figure 1. Internal schematic diagram
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: 2SA718 | MJE13002G | GES5827A | RN1306
History: 2SA718 | MJE13002G | GES5827A | RN1306



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219 | tip42c | 2sc2240