2SC6067. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC6067

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.55 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 28 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 450

Корпус транзистора: MINI

 Аналоги (замена) для 2SC6067

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC6067 даташит

 ..1. Size:143K  toshiba
 2sc6067.pdf pdf_icon

2SC6067

2SC6067 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC6067 Medium Power Amplifier Applications Unit mm Strobe Flash Applications Low Saturation Voltage VCE (sat) = 0.3 V (max) (@ IC=3A / IB=60mA Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-Base voltage V 15 V CBO Collector-Emitter voltage V 10 V CEO Emitt

 8.1. Size:205K  toshiba
 2sc6061.pdf pdf_icon

2SC6067

2SC6061 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6061 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications +0.2 2.8-0.3 +0.2 1.6-0.1 High-DC current gain hFE = 120 to 300 (IC = 0.1 A) Low-collector-emitter saturation VCE (sat) = 0.14 V (max) 1 High-speed switching tf = 0.2 s (typ) 3 2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C)

 8.2. Size:192K  toshiba
 2sc6062.pdf pdf_icon

2SC6067

2SC6062 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6062 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications +0.2 2.8-0.3 Strobe Applications +0.2 1.6-0.1 High-DC current gain hFE = 250 to 400 (IC = 0.5 1 A)Low-collector-emitter saturation VCE (sat) = 0.12 V (max) High-speed switching tf = 25 ns (typ.) 3 2 Absolute Maximum Ratings (Ta

 8.3. Size:181K  toshiba
 2sc6060.pdf pdf_icon

2SC6067

2SC6060 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6060 Unit mm Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications High-transition frequency fT = 100 MHz (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 230 V Collector-emitter voltage VCEO 230 V Emitter-base voltage VEBO 5 V DC IC 1.0 A Collec

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC5376F, 2SC5376FV, 2SC5720, 2SC5765, 2SC5766, 2SC6026, 2SC6026CT, 2SC6026MFV, A42, 2SC6100, 2SC6132, 2SC6133, 2SC6134, 2SC6135, 2SC752(G)TM, TTA1586FU, TTC4116FU