2SC6135. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC6135

Маркировка: CFA

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 400

Корпус транзистора: UFM

 Аналоги (замена) для 2SC6135

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC6135 даташит

 ..1. Size:140K  toshiba
 2sc6135.pdf pdf_icon

2SC6135

2SC6135 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6135 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications 2.1 0.1 Strobe Applications 1.7 0.1 1 High DC current gain hFE = 400 to 1000 (IC = 0.1A) Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = 0.17 V (max) 3 2 High-speed switching tf = 85 ns (typ.) Absolute Maximum Rating

 8.1. Size:144K  toshiba
 2sc6134.pdf pdf_icon

2SC6135

2CS6134 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6134 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications 2.1 0.1 Strobe Applications 1.7 0.1 High DC current gain hFE = 250 to 400 (IC = 0.3A) 1 Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = 0.14 V (max) 3 2 High-speed switching tf = 25 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (

 8.2. Size:191K  toshiba
 2sc6136.pdf pdf_icon

2SC6135

2SC6136 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC6136 High Voltage Switching Applications Unit mm Switching Regulator Applications DC-DC Converter Applications High speed switching tf = 0.18 s (typ.) (IC = 0.3 A) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 600 V Collector-emitter voltag

 8.3. Size:140K  toshiba
 2sc6133.pdf pdf_icon

2SC6135

2SC6133 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6133 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications 2.1 0.1 1.7 0.1 High DC current gain hFE = 400 to 1000 (IC = 0.15A) 1 Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = 0.12 V (max) 3 2 High-speed switching tf = 45 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Char

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC6026, 2SC6026CT, 2SC6026MFV, 2SC6067, 2SC6100, 2SC6132, 2SC6133, 2SC6134, BC547, 2SC752(G)TM, TTA1586FU, TTC4116FU, 2SA1873, 2SC4944, HN1A01F, HN1A01FE, HN1A01FU