TTC4116FU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TTC4116FU

Маркировка: BP1

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: USM

 Аналоги (замена) для TTC4116FU

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TTC4116FU даташит

 ..1. Size:210K  toshiba
 ttc4116fu.pdf pdf_icon

TTC4116FU

TTC4116FU TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) TTC4116FU Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit mm High voltage and high current VCEO = 50 V, IC = 150 mA (max) Excellent hFE linearity hFE (IC = 0.1 mA)/hFE (IC = 2 mA) = 0.95 (typ.) High hFE hFE = 120 to 400 Low noise NF = 1dB (typ.), 10dB (max) Small package

Другие транзисторы: 2SC6067, 2SC6100, 2SC6132, 2SC6133, 2SC6134, 2SC6135, 2SC752(G)TM, TTA1586FU, BD139, 2SA1873, 2SC4944, HN1A01F, HN1A01FE, HN1A01FU, HN1A02F, HN1A07F, HN1A26FS