Справочник транзисторов. HN1B01F

 

Биполярный транзистор HN1B01F - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: HN1B01F
   Маркировка: 1AY_1AG
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN*PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SM6

 Аналоги (замена) для HN1B01F

 

 

HN1B01F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:367K  toshiba
hn1b01f.pdf

HN1B01F
HN1B01F

HN1B01F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN1B01F Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Unit: mmQ1: High voltage and high current : V = -50 V, I = -150 mA (max) CEO C High h : h = 120~400 FE FE Excellent h linearity FE: h (I = -0.1 mA) / h (I = -2 mA) = 0.95 (typ.) FE C FE CQ2

 0.1. Size:367K  toshiba
hn1b01fu.pdf

HN1B01F
HN1B01F

HN1B01FU TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) HN1B01FU Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications Unit in mmQ1: High voltage and high current : V = -50V, I = -150mA (max) CEO C High h : h = 120~400 FE FE Excellent h linearity FE: h (I = -0.1mA) / h (I = -2mA) = 0.95 (typ.) FE C FE CQ2

 0.2. Size:151K  onsemi
hn1b01fdw1t1g shn1b01fdw1t1g.pdf

HN1B01F
HN1B01F

HN1B01FDW1T1G,SHN1B01FDW1T1GComplementary DualGeneral PurposeAmplifier Transistorwww.onsemi.comPNP and NPN Surface MountFeaturesSC-74 High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mACASE 318F High hFE: hFE = 200X400 STYLE 3 Moisture Sensitivity Level: 1 ESD Rating(6) (5) (4) Human Body Model: 3A Machine Model: C S Prefix for Automoti

 0.3. Size:52K  onsemi
hn1b01fdw1t1-d.pdf

HN1B01F
HN1B01F

HN1B01FDW1T1Complementary DualGeneral PurposeAmplifier TransistorPNP and NPN Surface Mounthttp://onsemi.comFeatures(6) (5) (4) High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mA High hFE: hFE = 200X400Q1 Q2 Moisture Sensitivity Level: 1 ESD Rating - Human Body Model: 3A- Machine Model: C(1) (2) (3) Pb-Free Package is AvailableMAXIMUM RATINGS (

 0.4. Size:103K  onsemi
shn1b01fdw1t1g.pdf

HN1B01F
HN1B01F

HN1B01FDW1T1G,SHN1B01FDW1T1GComplementary DualGeneral PurposeAmplifier Transistorhttp://onsemi.comPNP and NPN Surface MountFeaturesSC-74 High Voltage and High Current: VCEO = 50 V, IC = 200 mACASE 318F High hFE: hFE = 200X400 STYLE 3 Moisture Sensitivity Level: 1 ESD Rating(6) (5) (4) Human Body Model: 3A Machine Model: CQ1 Q2 AEC-Q101 Qu

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top