Биполярный транзистор 2N570 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N570
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.8 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO5

Другие транзисторы... 2N5693 , 2N5694 , 2N5695 , 2N5696 , 2N5697 , 2N5698 , 2N5699 , 2N57 , C1815 , 2N5700 , 2N5701 , 2N5702 , 2N5703 , 2N5704 , 2N5705 , 2N5706 , 2N5707 .