Справочник транзисторов. RN1106FS

 

Биполярный транзистор RN1106FS Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN1106FS
   Маркировка: L5
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: FSM
 

 Аналог (замена) для RN1106FS

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1106FS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:126K  toshiba
rn1101fs rn1102fs rn1103fs rn1104fs rn1105fs rn1106fs.pdfpdf_icon

RN1106FS

RN1101FS~RN1106FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1101FS,RN1102FS,RN1103FS RN1104FS,RN1105FS,RN1106FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of e

 8.1. Size:168K  toshiba
rn1101act rn1106act.pdfpdf_icon

RN1106FS

RN1101ACT ~ RN1106ACT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1101ACT,RN1102ACT,RN1103ACT RN1104ACT,RN1105ACT,RN1106ACT Switching Applications Unit: mmInverter Circuit Applications 0.60.050.50.03Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor r

 8.2. Size:167K  toshiba
rn1101ct rn1106ct.pdfpdf_icon

RN1106FS

RN1101CT ~ RN1106CT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1101CT,RN1102CT,RN1103CT RN1104CT,RN1105CT,RN1106CT Switching Applications Unit: mmInverter Circuit Applications 0.60.050.50.03Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces par

 8.3. Size:566K  toshiba
rn1101 rn1106.pdfpdf_icon

RN1106FS

RN1101RN1106 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1101, RN1102, RN1103, RN1104, RN1105, RN1106 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmand Driver Circuit Applications With built-in bias resistors Simplified circuit design Reduced number of parts and simplified manufacturing process Complementary to RN2101~ RN2106 Equivale

Другие транзисторы... RN1104 , RN1105ACT , RN1105CT , RN1105FS , RN1105MFV , RN1105 , RN1106ACT , RN1106CT , BC639 , RN1106MFV , RN1106 , RN1107ACT , RN1107CT , RN1107FS , RN1107MFV , RN1107 , RN1108ACT .

History: 2SC1368 | BCW60DLT1 | KT209E | NSP595 | TMPT6429 | TMPA811C5 | BFR360F

 

 
Back to Top

 


 
.