Справочник транзисторов. RN1108

 

Биполярный транзистор RN1108 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN1108
   Маркировка: XI
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT416 SC75 SSM
 

 Аналог (замена) для RN1108

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1108 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:361K  toshiba
rn1107mfv rn1108mfv rn1109mfv.pdfpdf_icon

RN1108

RN1107MFV~RN1109MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1107MFV,RN1108MFV,RN1109MFV Unit: mm1.2 0.05Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications 0.80 0.05 Ultra-small package, suited to very high density mounting 11 Incorporating a bias resistor into the transistor reduc

 0.2. Size:129K  toshiba
rn1107fs rn1108fs rn1109fs.pdfpdf_icon

RN1108

RN1107FS~RN1109FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1107FS,RN1108FS,RN1109FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact equipment

 9.1. Size:147K  toshiba
rn1101f-1106f xa-b-c-d-e-f sot490.pdfpdf_icon

RN1108

RN1101FRN1106F TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1101F,RN1102F,RN1103F RN1104F,RN1105F,RN1106F Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Unit in mm With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2101F~RN2106F Equivalent

 9.2. Size:164K  toshiba
rn1107act rn1109act.pdfpdf_icon

RN1108

RN1107ACT ~ RN1109ACT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1107ACT, RN1108ACT, RN1109ACT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications TOP View 0.60.05 Extra small package(CST3) is applicable for extra high density 0.50.03 fabrication. Incorporating a bias resis

Другие транзисторы... RN1107CT , RN1107FS , RN1107MFV , RN1107 , RN1108ACT , RN1108CT , RN1108FS , RN1108MFV , 2SC5198 , RN1109ACT , RN1109CT , RN1109FS , RN1109MFV , RN1109 , RN1110ACT , RN1110CT , RN1110FS .

History: NPS5137 | DC5501 | KSA1015 | UMS2N | KRA760U | 2SA1960 | FMMT3563

 

 
Back to Top

 


 
.