RN1112FS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RN1112FS

Маркировка: LH

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.05 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: FSM

 Аналоги (замена) для RN1112FS

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1112FS даташит

 ..1. Size:130K  toshiba
 rn1112fs rn1113fs.pdf pdf_icon

RN1112FS

RN1112FS,RN1113FS TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN1112FS, RN1113FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enables the manufacture of ever more compact equipment and lowe

 7.1. Size:106K  toshiba
 rn1112f rn1113f.pdf pdf_icon

RN1112FS

 7.2. Size:124K  toshiba
 rn1112ft rn1113ft.pdf pdf_icon

RN1112FS

RN1112FT,RN1113FT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1112FT,RN1113FT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit mm Driver Circuit Applications High-density mount is possible because of devices housed in very thin TESM packages. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.

 8.1. Size:154K  toshiba
 rn1112ct rn1113ct.pdf pdf_icon

RN1112FS

RN1112CT,RN1113CT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN1112CT,RN1113CT Switching Applications Unit mm Inverter Circuit Applications 0.6 0.05 Interface Circuit Applications 0.5 0.03 Driver Circuit Applications Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count en

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RN1111ACT, RN1111CT, RN1111FS, RN1111F, RN1111MFV, RN1111, RN1112ACT, RN1112CT, 2N5401, RN1112MFV, RN1112, RN1113ACT, RN1113CT, RN1113FS, RN1113MFV, RN1113, RN1114F