RN1118FT. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RN1118FT

Маркировка: XW

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-NPN

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 4.7

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TESM

 Аналоги (замена) для RN1118FT

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN1118FT даташит

 ..1. Size:187K  toshiba
 rn1114ft rn1118ft.pdf pdf_icon

RN1118FT

RN1114FT RN1118FT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1114FT, RN1115FT, RN1116FT, RN1117FT, RN1118FT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit mm and Driver Circuit Applications Built-in bias resistors Enabling simplified circuit design Enabling reduction in the quantity of parts and manufacturing process Complementary to the RN2114F

 7.1. Size:209K  toshiba
 rn1114f rn1118f.pdf pdf_icon

RN1118FT

RN1114F RN1118F TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1114F,RN1115F,RN1116F,RN1117F,RN1118F Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit mm and Driver Circuit Applications With built-in bias resistors. Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2114F to 2118F Equivalent Circuit and Bi

 8.1. Size:207K  toshiba
 rn1114 rn1118.pdf pdf_icon

RN1118FT

RN1114 RN1118 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1114, RN1115, RN1116, RN1117, RN1118 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit mm and Driver Circuit Applications With built-in bias resistors. Simplified circuit design Reduced number of parts and simplified manufacturing process Complementary to RN2114 to 2118 Equivalent Circuit a

 8.2. Size:160K  toshiba
 rn1114-rn1118.pdf pdf_icon

RN1118FT

RN1114 RN1118 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1114,RN1115,RN1116,RN1117,RN1118 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit mm And Driver Circuit Applications With built-in bias resistors. Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2114 2118 Equivalent Circuit and Bias Resistor

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: RN1115, RN1116FT, RN1116MFV, RN1116, RN1117FT, RN1117F, RN1117MFV, RN1117, 2SD718, RN1118F, RN1118MFV, RN1118, RN1119MFV, RN1130MFV, RN1131MFV, RN1132MFV, RN1301