Биполярный транзистор RN1118FT - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: RN1118FT
Маркировка: XW
Тип материала: Si
Полярность: Pre-Biased-NPN
Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm
Соотношение сопротивлений R1/R2 = 4.7
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TESM
RN1118FT Datasheet (PDF)
rn1114ft rn1118ft.pdf
RN1114FT~RN1118FT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1114FT, RN1115FT, RN1116FT, RN1117FT, RN1118FT Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmand Driver Circuit Applications Built-in bias resistors Enabling simplified circuit design Enabling reduction in the quantity of parts and manufacturing process Complementary to the RN2114F
rn1114f rn1118f.pdf
RN1114F~RN1118F TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1114F,RN1115F,RN1116F,RN1117F,RN1118F Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmand Driver Circuit Applications With built-in bias resistors. Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2114F to 2118F Equivalent Circuit and Bi
rn1114 rn1118.pdf
RN1114~RN1118 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1114, RN1115, RN1116, RN1117, RN1118 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmand Driver Circuit Applications With built-in bias resistors. Simplified circuit design Reduced number of parts and simplified manufacturing process Complementary to RN2114 to 2118 Equivalent Circuit a
rn1114-rn1118.pdf
RN1114~RN1118 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1114,RN1115,RN1116,RN1117,RN1118 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmAnd Driver Circuit Applications With built-in bias resistors. Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN2114~2118 Equivalent Circuit and Bias Resistor
rn1114mfv rn1115mfv rn1116mfv rn1117mfv rn1118mfv.pdf
RN1114MFVRN1118MFV TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1114MFV,RN1115MFV,RN1116MFV,RN1117MFV,RN1118MFV Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Unit: mmDriver Circuit Applications 1.2 0.05 With built-in bias resistors 0.80 0.05 Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufac
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050