2N5710. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2N5710
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20
Корпус транзистора: TO39
Аналоги (замена) для 2N5710
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2N5710 даташит
Спецификации не найдено!
Другие транзисторы: 2N5703, 2N5704, 2N5705, 2N5706, 2N5707, 2N5708, 2N5709, 2N571, TIP122, 2N5711, 2N5712, 2N5713, 2N5714, 2N5715, 2N572, 2N5729, 2N573
History: KZT2955 | PT236T30E2H | 2SC463 | ECG52 | 2SD882I | 2N160A | BC288
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304 | 2sa979
