2N5713 - описание и поиск аналогов

 

2N5713. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2N5713

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO128

 Аналоги (замена) для 2N5713

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5713 даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2N5706, 2N5707, 2N5708, 2N5709, 2N571, 2N5710, 2N5711, 2N5712, BD140, 2N5714, 2N5715, 2N572, 2N5729, 2N573, 2N5730, 2N5731, 2N5732

 

 

 

 

↑ Back to Top
.