Справочник транзисторов. RN2112ACT

 

Биполярный транзистор RN2112ACT Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN2112ACT
   Маркировка: DH
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT883 CST3
 

 Аналог (замена) для RN2112ACT

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2112ACT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  toshiba
rn2112act rn2113act.pdfpdf_icon

RN2112ACT

RN2112ACT,RN2113ACT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN2112ACT,RN2113ACT Switching Applications Unit: mmInverter Circuit Applications 0.60.05Interface Circuit Applications 0.50.03Driver Circuit Applications Extra small package (CST3) is applicable for extra high density fabrication.

 8.1. Size:276K  toshiba
rn2112f rn2113f.pdfpdf_icon

RN2112ACT

RN2112F,RN2113F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2112F,RN2113F Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit in mm With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1112F, RN1113F Equivalent Circuit Absolute Maximum Ratings (

 8.2. Size:94K  toshiba
rn2112fs rn2113fs.pdfpdf_icon

RN2112ACT

RN2112FS,RN2113FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN2112FS, RN2113FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit: mm Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enables the manufacture of ever more compact equipment and lowe

 8.3. Size:290K  toshiba
rn2112mfv rn2113mfv.pdfpdf_icon

RN2112ACT

RN2112MFV,RN2113MFV TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2112MFV,RN2113MFV Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit: mm1.20.05 Ultra-small package, suited to very high density mounting 0.80.05 Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BF458 | 2DI100D-050 | BC141-10

 

 
Back to Top

 


 
.