RN2113ACT - описание и поиск аналогов

 

Аналоги RN2113ACT. Основные параметры


   Наименование производителя: RN2113ACT
   Маркировка: DJ
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.9 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT883 CST3

 Аналоги (замена) для RN2113ACT

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2113ACT даташит

 ..1. Size:153K  toshiba
rn2112act rn2113act.pdfpdf_icon

RN2113ACT

RN2112ACT,RN2113ACT TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN2112ACT,RN2113ACT Switching Applications Unit mm Inverter Circuit Applications 0.6 0.05 Interface Circuit Applications 0.5 0.03 Driver Circuit Applications Extra small package (CST3) is applicable for extra high density fabrication.

 8.1. Size:276K  toshiba
rn2112f rn2113f.pdfpdf_icon

RN2113ACT

RN2112F,RN2113F TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2112F,RN2113F Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit in mm With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1112F, RN1113F Equivalent Circuit Absolute Maximum Ratings (

 8.2. Size:94K  toshiba
rn2112fs rn2113fs.pdfpdf_icon

RN2113ACT

RN2112FS,RN2113FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN2112FS, RN2113FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enables the manufacture of ever more compact equipment and lowe

 8.3. Size:290K  toshiba
rn2112mfv rn2113mfv.pdfpdf_icon

RN2113ACT

RN2112MFV,RN2113MFV TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN2112MFV,RN2113MFV Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit mm 1.2 0.05 Ultra-small package, suited to very high density mounting 0.8 0.05 Incorporating a bias resistor into the transistor reduces the number of

Другие транзисторы... RN2111F , RN2111MFV , RN2111 , RN2112ACT , RN2112CT , RN2112FS , RN2112MFV , RN2112 , BD222 , RN2113CT , RN2113FS , RN2113F , RN2113MFV , RN2113 , RN2114MFV , RN2114 , RN2115F .

 

 
Back to Top

 


 
.