Справочник транзисторов. RN2713JE

 

Биполярный транзистор RN2713JE Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN2713JE
   Маркировка: YP
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT553 ESV
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

RN2713JE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  toshiba
rn2712je rn2713je.pdfpdf_icon

RN2713JE

RN2712JE,RN2713JE TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2712JE, RN2713JE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit : mm Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (5 pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts count enables the manufactur

 9.1. Size:108K  toshiba
rn2710 rn2711.pdfpdf_icon

RN2713JE

RN2710,RN2711 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2710,RN2711 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in USV (ultra super mini type with 5 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1

 9.2. Size:169K  toshiba
rn2710je rn2711je.pdfpdf_icon

RN2713JE

RN2710JE, RN2711JE TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN2710JE, RN2711JE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (5-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Red

 9.3. Size:231K  toshiba
rn2714 100514.pdfpdf_icon

RN2713JE

RN2714 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN2714 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Two devices incorporated in a USV (5-pin ultra-super-mini-type) Built-in bias resistors Simplified circuit design Reduced quantity of parts and manufacturing process Equiva

Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , D667 , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .

 

 
Back to Top

 


 
.