Справочник транзисторов. RN2910FE

 

Биполярный транзистор RN2910FE Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN2910FE
   Маркировка: YK
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 4.7 kOhm
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT563 ES6
 

 Аналог (замена) для RN2910FE

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN2910FE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  toshiba
rn2910fe rn2911fe.pdfpdf_icon

RN2910FE

RN2910FE,RN2911FE TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN2910FE,RN2911FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reduc

 7.1. Size:117K  toshiba
rn2910fs rn2911fs.pdfpdf_icon

RN2910FE

RN2910FS,RN2911FS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN2910FS, RN2911FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Unit: mm1.00.050.80.05 0.10.05 Two devices are incorporated into a fine pitch small mold (6-pin) 0.10.05package. Incorporating a bias resistor into a

 8.1. Size:114K  toshiba
rn2910-rn2911.pdfpdf_icon

RN2910FE

RN2910,RN2911 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN2910,RN2911 Unit: mmSwitching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing process Complementary to RN1

 8.2. Size:132K  toshiba
rn2910afs rn2911afs.pdfpdf_icon

RN2910FE

RN2910AFS, RN2911AFS TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor) RN2910AFS, RN2911AFS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications 1.00.050.80.05 0.10.050.10.05 Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) package. Incorporating a bias res

Другие транзисторы... RN2908FE , RN2908FS , RN2908 , RN2909AFS , RN2909FE , RN2909FS , RN2909 , RN2910AFS , 13005 , RN2910FS , RN2910 , RN2911AFS , RN2911FE , RN2911FS , RN2911 , RN2912AFS , RN2912FS .

History: FJV4101R | 2SC482 | 2SD707

 

 
Back to Top

 


 
.