Справочник транзисторов. RN4988FE

 

Биполярный транзистор RN4988FE Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN4988FE
   Маркировка: 6I
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 22 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 47 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.47
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
   Корпус транзистора: SOT563 ES6
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

RN4988FE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  toshiba
rn4988fe.pdfpdf_icon

RN4988FE

RN4988FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN4988FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts

 7.1. Size:143K  toshiba
rn4988fs.pdfpdf_icon

RN4988FE

RN4988FS TOSHIBA Transistor Silicon NPNPNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor) RN4988FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications 1.00.050.80.05 0.10.050.10.05 Two devices are incorporated into a fine pitch Small Mold (6-pin) package. 1 6 Incorporating a bias resistor into a tran

 8.1. Size:168K  toshiba
rn4988afs.pdfpdf_icon

RN4988FE

RN4988AFS TOSHIBA Transistor Silicon NPN/PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor) RN4988AFS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications 1.00.050.80.05 0.10.050.10.05 Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) package. 1 6 Incorporating a bias resistor into

 8.2. Size:246K  toshiba
rn4988.pdfpdf_icon

RN4988FE

RN4988 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN4988 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmand Driver Circuit Applications Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing pro

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: TMPTA63 | BFG520-X | RN2902FE | BD148-16 | 2SC975 | PMD25K150

 

 
Back to Top

 


 
.