Справочник транзисторов. RN4989FE

 

Биполярный транзистор RN4989FE Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: RN4989FE
   Маркировка: 6J
   Тип материала: Si
   Полярность: Pre-Biased-NPN*PNP
   Встроенный резистор цепи смещения R1 = 47 kOhm
   Встроенный резистор цепи смещения R2 = 22 kOhm
   Соотношение сопротивлений R1/R2 = 2.1
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: SOT563 ES6
 

 Аналог (замена) для RN4989FE

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

RN4989FE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:104K  toshiba
rn4989fe.pdfpdf_icon

RN4989FE

RN4989FE TOSHIBA Transistor Silicon NPN PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN4989FE Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin) package. Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count. Reducing the parts

 7.1. Size:169K  toshiba
rn4989fs.pdfpdf_icon

RN4989FE

RN4989FS TOSHIBA Transistor Silicon NPNPNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor Built-in Transistor) RN4989FS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications 1.00.050.80.05 0.10.050.10.05 Two devices are incorporated into a fine pitch small mold (6-pin) package. 1 6 Incorporating a bias resistor into a trans

 8.1. Size:168K  toshiba
rn4989afs.pdfpdf_icon

RN4989FE

RN4989AFS TOSHIBA Transistor Silicon NPN/PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Transistor with Built-in Bias Resistor) RN4989AFS Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Unit: mmDriver Circuit Applications 1.00.050.80.05 0.10.050.10.05 Two devices are incorporated into a fine-pitch, small-mold (6-pin) package. 1 6 Incorporating a bias resistor into

 8.2. Size:245K  toshiba
rn4989.pdfpdf_icon

RN4989FE

RN4989 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) RN4989 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit Unit: mmand Driver Circuit Applications Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads) With built-in bias resistors Simplify circuit design Reduce a quantity of parts and manufacturing pro

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: STC1734 | 2SC6140 | 2SC979AR | 3DA5147 | 2SC3607 | MM4003 | BC817-16-AU

 

 
Back to Top

 


 
.