2SA1971. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA1971

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140

Корпус транзистора: PW-MINI SC62

 Аналоги (замена) для 2SA1971

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1971 даташит

 ..1. Size:194K  toshiba
2sa1971.pdfpdf_icon

2SA1971

 ..2. Size:955K  kexin
2sa1971.pdfpdf_icon

2SA1971

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SA1971 SOT-89 Unit mm 1.70 0.1 Features Collector Current Capability IC=-0.5A Collector Emitter Voltage VCEO=-400V 0.42 0.1 0.46 0.1 Marking A*L 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -400 Collector - Emitter Voltage VCEO -400 V

 8.1. Size:191K  toshiba
2sa1972.pdfpdf_icon

2SA1971

 8.2. Size:44K  sanyo
2sa1973 2sc5310.pdfpdf_icon

2SA1971

Ordering number ENN5613 PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1973/2SC5310 DC/DC Converter Applications Features Package Dimensions Adoption of FBET, MBIT processes. unit mm Large current capacitance. 2018B Low collector-to-emitter saturation voltage. [2SA1973/2SC5310] High-speed switching. 0.4 Ultrasmall package facilitates miniaturization in end 0.16

Другие транзисторы: 2SA1933, 2SA1934, 2SA1937, 2SA1939, 2SA1940, 2SA1941, 2SA1942, 2SA1962, TIP31, 2SA1972, 2SA1986, 2SA1987, 2SA2034, 2SA2056, 2SA2058, 2SA2059, 2SA2060