2SA2058. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SA2058
Маркировка: WM
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: TSM
Аналоги (замена) для 2SA2058
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SA2058 даташит
2sa2058.pdf
2SA2058 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA2058 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain hFE = 200 to 500 (IC = -0.2 A) Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = -0.19 V (max) High-speed switching tf = 25 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteri
2sa2058.pdf
SMD Type Transistors PNP Transistors 2SA2058 SOT-23 Unit mm 2.9+0.1 -0.1 +0.1 0.4-0.1 3 Features High DC current gain hFE = 200 to 500 (IC = -0.2 A) Low collector-emitter saturation voltage 1 2 VCE (sat) = -0.19 V (max) +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 High-speed switching tf = 25 ns (typ.) 1.9 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Max
2sa2056.pdf
2SA2056 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA2056 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain hFE = 200 to 500 (IC = -0.5 A) Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = -0.2 V (max) High-speed switching tf = 90 ns (typ.) Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symb
2sa2059.pdf
2SA2059 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA2059 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain hFE = 200 to 500 (I = -0.5 A) C Low collector-emitter saturation voltage V = -0.19 V (max) CE (sat) High-speed switching t = 40 ns (typ.) f Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characterist
Другие транзисторы: 2SA1942, 2SA1962, 2SA1971, 2SA1972, 2SA1986, 2SA1987, 2SA2034, 2SA2056, 8550, 2SA2059, 2SA2060, 2SA2061, 2SA2065, 2SA2066, 2SA2069, 2SA2070, 2SA2097
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sb549 | 5n50 mosfet equivalent | a1016 transistor | a1693 transistor | a933 datasheet | c535 transistor | irf3205 reemplazo | mpsu06






