Биполярный транзистор 2SA2182 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA2182
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 22.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO220SIS
2SA2182 Datasheet (PDF)
2sa2182.pdf
2SA2182 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA2182 Unit: mmPower Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications High transition frequency: fT = 80 MHz (typ.) Absolute Maximum Ratings (Tc = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO - 230 VCollector-emitter voltage VCEO - 230 VEmitter-base voltage VEBO - 5 VDC IC - 1.0 A
2sa2184.pdf
2SA2184 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type 2SA2184 High Voltage Switching Applications Unit: mm High voltage: VCEO = -550 V High speed: tf = 40 ns (typ.) (IC = -0.5A) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -550 VCollector-emitter voltage VCEO -550 VEmitter-base voltage VEBO -7 VDC IC -1
2sa2183.pdf
2SA2183 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA2183 High Current Switching Applications Unit: mm Low collector-emitter saturation : VCE(sat) = -1.0 Vmax Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -60 VCollector-emitter voltage VCEO -60 VEmitter-base voltage VEBO -7 VDC IC -5.0 ACollector current
2sa2186.pdf
Ordering number : ENA02692SA2186PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor2SA2186High-Current Switching ApplicationsApplications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment.Features Adoption of MBIT processes. High current capacity. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching.SpecificationsAbsolute Maximum Rat
2sa2186-an.pdf
Ordering number : ENA0269A2SA2186Bipolar Transistorhttp://onsemi.com-50V, -2A, Low VCE(sat), PNP Single NMPApplicaitons Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipmentFeatures Adoption of MBIT processes Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switchingSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
