Биполярный транзистор 2SA2184 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SA2184
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 550 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 550 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 27 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: NEW-PW-MOLD
2SA2184 Datasheet (PDF)
2sa2184.pdf
2SA2184 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Triple Diffused Type 2SA2184 High Voltage Switching Applications Unit: mm High voltage: VCEO = -550 V High speed: tf = 40 ns (typ.) (IC = -0.5A) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -550 VCollector-emitter voltage VCEO -550 VEmitter-base voltage VEBO -7 VDC IC -1
2sa2183.pdf
2SA2183 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA2183 High Current Switching Applications Unit: mm Low collector-emitter saturation : VCE(sat) = -1.0 Vmax Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO -60 VCollector-emitter voltage VCEO -60 VEmitter-base voltage VEBO -7 VDC IC -5.0 ACollector current
2sa2182.pdf
2SA2182 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA2182 Unit: mmPower Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications High transition frequency: fT = 80 MHz (typ.) Absolute Maximum Ratings (Tc = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO - 230 VCollector-emitter voltage VCEO - 230 VEmitter-base voltage VEBO - 5 VDC IC - 1.0 A
2sa2186.pdf
Ordering number : ENA02692SA2186PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor2SA2186High-Current Switching ApplicationsApplications Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipment.Features Adoption of MBIT processes. High current capacity. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching.SpecificationsAbsolute Maximum Rat
2sa2186-an.pdf
Ordering number : ENA0269A2SA2186Bipolar Transistorhttp://onsemi.com-50V, -2A, Low VCE(sat), PNP Single NMPApplicaitons Voltage regulators, relay drivers, lamp drivers, electrical equipmentFeatures Adoption of MBIT processes Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switchingSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050