2SA2219. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 2SA2219
Маркировка: A2219
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 17 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140
Корпус транзистора: MSTM
Аналоги (замена) для 2SA2219
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
2SA2219 даташит
2sa2219.pdf
2SA2219 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA2219 Audio Frequency Amplifier Applications Unit mm High collector voltage VCEO = 160 V (min) Small collector output capacitance Cob = 17pF (typ.) High transition frequency fT = 100MHz (typ.) Complementary to 2SC6139 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit
2sa2215.pdf
2SA2215 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA2215 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications 2.1 0.1 Strobe Applications 1.7 0.1 High DC current gain hFE = 200 to 500 (IC = -0.5 A) Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = -0.19 V (max) 1 High-speed switching tf = 40 ns (typ.) 3 2 Absolute Maximum Rati
2sa2214.pdf
2SA2214 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type 2SA2214 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications 2.1 0.1 Strobe Applications 1.7 0.1 High DC current gain hFE = 200 to 500 (IC = -1.5 A) Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = -0.14 V (max) 1 High-speed switching tf = 37 ns (typ.) 3 2 Absolute Maximum Rati
2sa2210.pdf
Ordering number ENA0667 2SA2210 SANYO Semiconductors DATA SHEET PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SA2210 High-Current Switching Applications Applications Relay drivers, lamp drivers, motor drivers. Features Adoption of MBIT processes. Large current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. Specifications Absolute M
Другие транзисторы: 2SA2120, 2SA2121, 2SA2142, 2SA2182, 2SA2183, 2SA2184, 2SA2190, 2SA2206, 2SD669A, 2SA2220, 2SA940A, 2SC2073A, 2SC3709A, 2SC3710A, 2SC4935, 2SC5000, 2SC5075
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc984 replacement | a1046 transistor | hy19p03 | 2sk2749 | c2577 transistor | k3563 transistor | 2sc1775 datasheet | j377 transistor datasheet






