Биполярный транзистор 2SC5548 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC5548
Маркировка: C5548
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 370 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: PW-MOLD
2SC5548 Datasheet (PDF)
2sc5548.pdf
2SC5548 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC5548 High Voltage Switching Applications Unit: mm Switching Regulator Applications DC-DC Converter Applications High speed switching: tr = 0.5 s (max), t = 0.3 s (max) (I = 0.8 A) f C High collector breakdown voltage: V = 370 V CEO High DC current gain: h = 60 (min) (I = 0.2 A) FE CMaximum Ra
2sc5548.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC5548DESCRIPTIONExcellent linearity of hFELow collector-to-emitter saturation voltageFast switching speedComplementary to 2SB1204Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSRelay drivers, high-speed inverters , converters andOther general high current swi
2sc5548a.pdf
2SC5548A TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC5548A High Voltage Switching Applications Unit: mm Switching Regulator Applications DC-DC Converter Applications High speed switching: tr = 0.5 s (max), t = 0.3 s (max) (I = 0.8 A) f C High collector breakdown voltage: V = 400 V CEO High DC current gain: h = 40 (min) (I = 0.2 A) FE CMaximum
2sc5548a.pdf
SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC5548ATO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 Features High speed switching High collector breakdown voltage High DC current gain0.127+0.10.80-0.1max+ 0.11 Base2.3 0.60- 0.1+0.154 .60 -0.152 Collector3 Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Sym
2sc5548a.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC5548ADESCRIPTIONWith TO-252(DPAK) packagingExcellent linearity of hFELow collector-to-emitter saturation voltageFast switching speedComplementary to 2SB1204Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSRelay drivers, high-speed inverters , converters and
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050