Справочник транзисторов. 2SC5714

 

Биполярный транзистор 2SC5714 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC5714
   Маркировка: 2E
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 400
   Корпус транзистора: PW-MINI SC62
 

 Аналог (замена) для 2SC5714

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5714 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  toshiba
 2sc5714.pdf pdf_icon

2SC5714

2SC5714 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5714 Industrial Applications High-Speed Switching Applications Unit: mm DC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (I = 0.5 A) C Low collector-emitter saturation voltage: V = 0.15 V (max) CE (sat) High-speed switching: t = 90 ns (typ.) fMaximum Ratings (T

 8.1. Size:304K  toshiba
 2sc5716.pdf pdf_icon

2SC5714

2SC5716 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type 2SC5716 Horizontal Deflection Output for High Resolution Display, Unit: mm Color TV High voltage: V = 1700 V CBO High speed: t (2) = 0.2 s (typ.) f Collector metal (fin) is fully covered with mold resin. Maximum Ratings (Tc == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base vo

 8.2. Size:159K  toshiba
 2sc5713.pdf pdf_icon

2SC5714

2SC5713 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5713 Industrial Applications High-Speed Switching Applications Unit: mm DC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (I = 0.5 A) C Low collector-emitter saturation voltage: V = 0.15 V (max) CE (sat) High-speed switching: t = 50 ns (typ.) fMaximum Ratings (T

 8.3. Size:146K  toshiba
 2sc5712.pdf pdf_icon

2SC5714

2SC5712 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5712 High-Speed Switching Applications Unit: mmDC-DC Converter Applications DC-AC Converter Applications High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.3 A) Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.14 V (max) High-speed switching: tf = 120 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SC5549 , 2SC5550 , 2SC5562 , 2SC5563 , 2SC5692 , 2SC5703 , 2SC5712 , 2SC5713 , 13003 , 2SC5738 , 2SC5755 , 2SC5784 , 2SC5785 , 2SC5810 , 2SC5819 , 2SC5886 , 2SC5886A .

History: DDTC124XE | DTA124TKAFRA

 

 
Back to Top

 


 
.