2SC5714. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC5714

Маркировка: 2E

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 18 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 400

Корпус транзистора: PW-MINI SC62

 Аналоги (замена) для 2SC5714

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5714 даташит

 ..1. Size:166K  toshiba
 2sc5714.pdf pdf_icon

2SC5714

2SC5714 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5714 Industrial Applications High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain hFE = 400 to 1000 (I = 0.5 A) C Low collector-emitter saturation voltage V = 0.15 V (max) CE (sat) High-speed switching t = 90 ns (typ.) f Maximum Ratings (T

 8.1. Size:304K  toshiba
 2sc5716.pdf pdf_icon

2SC5714

2SC5716 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Mesa Type 2SC5716 Horizontal Deflection Output for High Resolution Display, Unit mm Color TV High voltage V = 1700 V CBO High speed t (2) = 0.2 s (typ.) f Collector metal (fin) is fully covered with mold resin. Maximum Ratings (Tc = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base vo

 8.2. Size:159K  toshiba
 2sc5713.pdf pdf_icon

2SC5714

2SC5713 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5713 Industrial Applications High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain hFE = 400 to 1000 (I = 0.5 A) C Low collector-emitter saturation voltage V = 0.15 V (max) CE (sat) High-speed switching t = 50 ns (typ.) f Maximum Ratings (T

 8.3. Size:146K  toshiba
 2sc5712.pdf pdf_icon

2SC5714

2SC5712 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5712 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications DC-AC Converter Applications High DC current gain hFE = 400 to 1000 (IC = 0.3 A) Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = 0.14 V (max) High-speed switching tf = 120 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC5549, 2SC5550, 2SC5562, 2SC5563, 2SC5692, 2SC5703, 2SC5712, 2SC5713, 2N3906, 2SC5738, 2SC5755, 2SC5784, 2SC5785, 2SC5810, 2SC5819, 2SC5886, 2SC5886A