Биполярный транзистор 2SC6060 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC6060
Маркировка: C6060
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO220SIS
2SC6060 Datasheet (PDF)
2sc6060.pdf
2SC6060 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6060 Unit: mmPower Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications High-transition frequency: fT = 100 MHz (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 230 VCollector-emitter voltage VCEO 230 VEmitter-base voltage VEBO 5 VDC IC 1.0 ACollec
2sc6061.pdf
2SC6061 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6061 High-Speed Switching Applications Unit: mmDC-DC Converter Applications +0.2 2.8-0.3 +0.2 1.6-0.1 High-DC current gain: hFE = 120 to 300 (IC = 0.1 A) Low-collector-emitter saturation: VCE (sat) = 0.14 V (max) 1 High-speed switching: tf = 0.2 s (typ) 32 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C)
2sc6067.pdf
2SC6067 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC6067 Medium Power Amplifier Applications Unit: mm Strobe Flash Applications Low Saturation Voltage: VCE (sat) = 0.3 V (max) (@ IC=3A / IB=60mA Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollector-Base voltage V 15 VCBO Collector-Emitter voltage V 10 VCEO Emitt
2sc6062.pdf
2SC6062 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6062 High-Speed Switching Applications Unit: mmDC-DC Converter Applications +0.2 2.8-0.3 Strobe Applications +0.2 1.6-0.1 High-DC current gain: hFE = 250 to 400 (IC = 0.5 1 A)Low-collector-emitter saturation: VCE (sat) = 0.12 V (max) High-speed switching: tf = 25 ns (typ.) 32 Absolute Maximum Ratings (Ta
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP42 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050