Справочник транзисторов. 2SC6079

 

Биполярный транзистор 2SC6079 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC6079
   Маркировка: C6079
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: MSTM
 

 Аналог (замена) для 2SC6079

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC6079 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  toshiba
 2sc6079.pdf pdf_icon

2SC6079

2SC6079 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6079 Power Amplifier Applications Unit: mmPower Switching Applications Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)IC = 1A High-speed switching: tstg = 0.4 s (typ) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 160 VCollector-emitter voltage VC

 8.1. Size:302K  toshiba
 2sc6077.pdf pdf_icon

2SC6079

2SC6077 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC6077 Power Amplifier Applications Unit: mm Power Switching Applications Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)IC = 1A High-speed switching: tstg = 0.4 s (typ) www.DataSheet4U.comAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-ba

 8.2. Size:201K  toshiba
 2sc6075.pdf pdf_icon

2SC6079

2SC6075 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6075 Power Amplifier Applications Unit: mmPower Switching Applications Low collector emitter saturation voltage : VCE (sat) = 0.5 V (max)IC = 1A High-speed switching: tstg = 0.4 s (typ) www.DataSheet4U.comAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 160

 8.3. Size:196K  toshiba
 2sc6076.pdf pdf_icon

2SC6079

2SC6076 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC6076 Power Amplifier Applications Unit: mmPower Switching Applications Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) ( IC = 1A) High-speed switching: tstg = 0.4 s (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 160 VCollector-emitt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SC6060 , 2SC6061 , 2SC6062 , 2SC6072 , 2SC6075 , 2SC6076 , 2SC6077 , 2SC6078 , A1013 , 2SC6087 , 2SC6124 , 2SC6125 , 2SC6126 , 2SC6127 , 2SC6136 , 2SC6139 , 2SC6140 .

 

 
Back to Top

 


 
.