2SC6079. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC6079

Маркировка: C6079

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: MSTM

 Аналоги (замена) для 2SC6079

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC6079 даташит

 ..1. Size:188K  toshiba
 2sc6079.pdf pdf_icon

2SC6079

2SC6079 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6079 Power Amplifier Applications Unit mm Power Switching Applications Low collector saturation voltage VCE (sat) = 0.5 V (max) IC = 1A High-speed switching tstg = 0.4 s (typ) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 160 V Collector-emitter voltage VC

 8.1. Size:302K  toshiba
 2sc6077.pdf pdf_icon

2SC6079

2SC6077 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC6077 Power Amplifier Applications Unit mm Power Switching Applications Low collector saturation voltage VCE (sat) = 0.5 V (max) IC = 1A High-speed switching tstg = 0.4 s (typ) www.DataSheet4U.com Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-ba

 8.2. Size:201K  toshiba
 2sc6075.pdf pdf_icon

2SC6079

2SC6075 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6075 Power Amplifier Applications Unit mm Power Switching Applications Low collector emitter saturation voltage VCE (sat) = 0.5 V (max) IC = 1A High-speed switching tstg = 0.4 s (typ) www.DataSheet4U.com Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 160

 8.3. Size:196K  toshiba
 2sc6076.pdf pdf_icon

2SC6079

2SC6076 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) 2SC6076 Power Amplifier Applications Unit mm Power Switching Applications Low collector saturation voltage VCE (sat) = 0.5 V (max) ( IC = 1A) High-speed switching tstg = 0.4 s (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 160 V Collector-emitt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC6060, 2SC6061, 2SC6062, 2SC6072, 2SC6075, 2SC6076, 2SC6077, 2SC6078, SS8050, 2SC6087, 2SC6124, 2SC6125, 2SC6126, 2SC6127, 2SC6136, 2SC6139, 2SC6140