Биполярный транзистор TPC6601
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TPC6601
Маркировка: H3A
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: VS6
Аналоги (замена) для TPC6601
TPC6601
Datasheet (PDF)
..1. Size:151K toshiba
tpc6601.pdf 
TPC6601 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type TPC6601 High-Speed Switching Applications Unit: mmDC-DC Converter Applications High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = -0.3 A) Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = -0.2 V (max) High-speed switching: tf = 90 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating Uni
8.1. Size:158K toshiba
tpc6604.pdf 
TPC6604 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type TPC6604 High-Speed Switching Applications Unit: mmDC-DC Converter Applications High DC current gain : hFE = 200 to 500 (IC = -0.1 A) Low collector-emitter saturation voltage : VCE (sat) = -0.23 V (max) High-speed switching : tf = 70 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating
8.2. Size:150K toshiba
tpc6602.pdf 
TPC6602 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type TPC6602 High-Speed Switching Applications Unit: mmDC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = -0.2 A) Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = -0.19 V (max) High-speed switching: tf = 25 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteri
8.3. Size:156K toshiba
tpc6603.pdf 
TPC6603 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type TPC6603 Switching Applications Unit: mmDC/DC Converter Applications Strobe Flash Applications High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = -0.5 A) Low collector-emitter saturation: VCE (sat) = -0.19 V (max) High-speed switching: tf = 40 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristic Symbol R
Другие транзисторы... 2SA1801
, 2SA1802
, 2SA1802A
, 2SA1803
, 2SA1803O
, 2SA1803R
, 2SA1804
, 2SA1804O
, TIP35C
, 2SA1805
, 2SA1805O
, 2SA1805R
, 2SA1806
, 2SA181
, 2SA1810
, 2SA1810B
, 2SA1810C
.
