TPC6601. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: TPC6601
Маркировка: H3A
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200
Корпус транзистора: VS6
Аналоги (замена) для TPC6601
- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам
TPC6601 даташит
tpc6601.pdf
TPC6601 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type TPC6601 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications High DC current gain hFE = 200 to 500 (IC = -0.3 A) Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = -0.2 V (max) High-speed switching tf = 90 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Uni
tpc6604.pdf
TPC6604 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type TPC6604 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications High DC current gain hFE = 200 to 500 (IC = -0.1 A) Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = -0.23 V (max) High-speed switching tf = 70 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol Rating
tpc6602.pdf
TPC6602 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type TPC6602 High-Speed Switching Applications Unit mm DC-DC Converter Applications Strobe Applications High DC current gain hFE = 200 to 500 (IC = -0.2 A) Low collector-emitter saturation voltage VCE (sat) = -0.19 V (max) High-speed switching tf = 25 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteri
tpc6603.pdf
TPC6603 TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type TPC6603 Switching Applications Unit mm DC/DC Converter Applications Strobe Flash Applications High DC current gain hFE = 200 to 500 (IC = -0.5 A) Low collector-emitter saturation VCE (sat) = -0.19 V (max) High-speed switching tf = 40 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristic Symbol R
Другие транзисторы... 2SC6136 , 2SC6139 , 2SC6140 , 2SC6142 , TPC6501 , TPC6502 , TPC6503 , TPC6504 , 2222A , TPC6602 , TPC6603 , TPC6604 , TPC6701 , TPC6D03 , TPCP8501 , TPCP8504 , TPCP8505 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n2222 datasheet | irf9540 | 2n3055 datasheet | 2sc945 | irfp250n | irf9540n | bd139 datasheet | irf9640




